CADE · Outros órgãos do CADE · 16/04/2012
Processo Administrativo nº 08012.005255/2010-11
Processo Administrativo nº 08012.005255/2010-11
Decisão
Instauração de processo administrativo 67. Por todo o exposto e tendo em vista a existência de indícios suficientes de infração à ordem econômica tipificada no art. 20, incisos 1 e III c/c art. 21, incisos 1, II, III e X, da Lei 8.884/94, e tendo em vista que já se encontram no poio passivo as seguintes pessoas físicas e jurídicas: Pessoas Jurídicas: Elpida Memory, Inc.; Hitachi Ltd.; Hynix Semiconductor, Inc.; Infineon Technolgies, AG; Micron Technology, Inc.; Mitsubishi Electric Corp.; Nanya Technology Corporation; NEC Corporation; Samsung Electronics Company, Ltd.; Sarnsung Semiconductor, Inc.; Toshiba Corporation; Pessoas Físicas: [CONFIDENCIAL]; sugere-se: (i) a inclusão no pólo passivo das seguintes pessoas físicas nas investigações desta SDE sobre o suposto cartel internacional com efeitos no Brasil ocorrido no mercado de DRAM, a fim de que sejam apuradas as condutas anticoncorrenciais apontadas ao longo da presente nota técnica. [CONFIDENCIAL] (ii) a notificação de todos os Representados para apresentarem defesa no prazo de 15 (quinze) dias, contado em dobro em atenção aos arts. 83 da Lei 8.884/94 e 191 do Código de Processo Civil;
Inteiro teor
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MINISTÉRIO DA JUSTIÇA _J SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO DE DEPARTAMENTO DE PROTEÇÃO E DEFESA ECONÔMICA COORDENAÇÃO-GERAL DE ANÁLISE DE INFRAÇÕES NOS SETORES DE AGRICULTURA E DE INDÚSTRIA Autos 110: 08012.005255/2010-11 Natureza: Processo Administrativo Representante: SDE ex officio Representados: Elpida Memory, Inc. e outros VERSÃO PÚBLICA Senhora Coordenadora-Geral Substituta, 1. OBJETO DA NOTA TÉCNICA 1. Com base no art. 14, inciso VI, da Lei 8.884/94, a CGAI encaminha a presente Nota Técnica com o intuito de sugerir a instauração de processo administrativo contra novas pessoas físicas no que se refere à investigação de suposto cartel internacional entre fabricantes de memória dinâmica de acesso aleatório ("DRAM") com efeitos no Brasil. DRAM: Dynainic Randoin Access Meinory. Palácio da Justiça Raimundo Faoro- Esplanada dos Ministérios - Bloco T 5° andar Sala 538 CEP 70064-900 - Brasília - DF - TeL (61) 2025-3396 - Fax (61) 2025-3497 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 2/ E / Z, MINISTÉRIO CL. MINISTI]U()I).JUSTIÇA SECRETARIA vi; DIREITO ECONÔMICO II. RELATÓRIO 11.1. Da instauração do Processo Administrativo 2.
Em 19.05.10, foi publicado no sítio eletrônico da Comissão Europeia o comunicado IP/10/586 a respeito de condenação de Micron Technology, Inc., Infineon Technologies AG, Hynix Semiconductor Inc., Samsung Electronics Co., NEC Corporation, Toshiba Corp., Elpida Memory Inc., Hitachi Ltd., Mitsubishi Electric e Nanya Technology por prática de cartel internacional no mercado de memória dinâmica de acesso aleatório ("DRAM"). O DRAM é o produto semicondutor de memória mais utilizado e fornece armazenagem e recuperação de informação eletrônica em computadores pessoais, servidores, impressoras, celulares, câmeras digitais, consoles de videogames e outros dispositivos, em alta-velocidade. 3. Consta ainda do comunicado a informação de que as referidas empresas confessaram que trocavam entre si informações confidenciais com o objetivo de coordenar os níveis de preços e cotações de memória DRAM vendida a grandes fabricantes de equipamentos originais de computadores pessoais e servidores (Original Equipment Manufacturers - OEMs) no período de julho de 1998 ajunho de 2002 (fis. 01/03). 4. A soma dos montantes de multas aplicadas pela Comissão Europeia às empresas resultou em urna quantia total superior a $330 milhões de euros. Dentre as empresas investigadas, a Micron recebeu imunidade total, por ter sido a primeira empresa a informar a Comissão Europeia sobre a ocorrência da infração, em 2002, no âmbito do Programa de Leniência daquela autoridade.
Em relação às demais, foi levada em consideração a cooperação com a autoridade entre dezembro de 2003 a fevereiro de 2006, o que resultou na diminuição do montante de multa aplicada a cada uma, conforme quadro abaixo: Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 2/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 3MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO AL Redução ii Redução pela \1II I: iuupiesis investigadas celebração de celebração de (l UR) Leniêiicia (°Á) acordo itachi Ltd. NEC Corporation, Hitachi Ltd. (durante o - período dajoznt venture) NEC Corporation (antes dajoint venture) 18% 10% 2 124 000 10% 10 296 000 Hitachi Ltd. (antes dajointventure)- 10% 20412000 Toshiba Corp. - 10% 1 17 641 800 Mitsubishi Electric - 10% 16 605 000 Nanya Technology Corporation - 10% 1 800 000 5. Ainda, diligência feita por este DPDE no sítio eletrônico do Departamento de Justiça dos Estados Unidos da América (DOJ), acordos amplamente divulgados pela mídia, revelou a existência de acordos de confissão de prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM pelas empresas Micron Technology, Inc., Samsung Electronics Company, Ltd., Samsung Semiconductor, Inc., Elpida Memory, Inc., Hynix Semiconductor Inc., e Infineon Technologies AG e alguns de seus executivos diante também das autoridades daquele país (fis. 24/318). O acordo de cartel confessado afetou, pelo menos, os seguintes fabricantes de computadores:
Dell Inc., Hewlett-Packard Company, Compaq Computer Corporation, International Business Machines Corporation (IBM), Apple Computer Inc., Gateway Inc e Sun Microsystems. 6. As confissões e os pagamentos de multa feitos pelas empresas fabricantes de memória DRAM perante o DOJ foram conforme abaixo: a. Micron Technolo2y Inc.: Em relatório Form 8-K, apresentado perante a Comissão de Valores Mobiliários dos Estados Unidos (SEC), datado de 12.11.2004, a Micron Technology afirmou que era o beneficiário do Acordo de Leniência que reportou ao Departamento de Justiça dos Estados Unidos conduta anticompetitiva em relação ao produto DRAM. O comunicado afirma que a empresa estaria cooperando plenamente com a investigação norte-americana. Nos termos do DOJ s Corporate Leniency Policy, aquele que for o primeiro a delatar a prática e Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 3/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 4E MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO cooperar com as autoridades fará jus à imunidade criminal. (fis. 348/353) b. Elpida Memory Inc.: empresa japonesa que confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.1999 a 15.06.2002. A Elpida acordou em pagar multa no valor de US$ 84 milhões.
Quando da divulgação do acordo com a Elpida, o Departamento de Justiça dos Estados Unidos também informou que assinaria acordos de "Cooperation and Non-Prosecution" com as antecessoras da Elpida: NEC Corporation e Hitachi Ltd. (fis. 51/62) e. Infineon Technologies AG.: empresa alemã que confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.07.1999 a 15.06.2002. A Infineon acordou em pagar multa no valor de US$ 160 milhões. (fis. 93/107) d. Hynix Semiconductor Inc.: empresa coreana que confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.1999 a 15.06.2002. A Hynix acordou em pagar multa no valor de US$ 185 milhões. (fis. 74/88) e. Samsung Electronics Company, Ltd. e Samsung Semiconductor, Inc.: empresas coreana e sua subsidiária americana, respectivamente, que confessaram a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.1999 a 15.06.2002. As empresas acordaram em pagar uma multa de US$ 300 milhões. (fis. 28/39) 7. Em relação aos executivos das empresas acima que estiveram envolvidos no cartel internacional investigado, as confissões ao DOJ se deram conforme abaixo: a. Executivos da Elpida: - D. James Sogas, Vice-presidente de Vendas da Elpida Memory, Inc. (USA), confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002.
Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 7 meses. (fis. 306/318) Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 4/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 51 b. Executivos da Infineon: - T. Rudd Corwin, Diretor da Divisão de Marketing a Clientes e de Vendas de Produtos de Memória e Vice-presidente de Vendas do Segmento de Computação da Infineon Technologies North America Corporation, confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.07.1999 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 120 dias. (fis. 191/199) - Heinrich Florian, Vice-presidente de Vendas, Marketing & Logística para Produtos de Memória e Vice-presidente de Marketing & Logística da Infineon Technolgies, AG, confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 180 dias. (fis. 202/212) - Günter Hefner, Vice-presidente de Vendas para Produtos de Memória da Infineon Technolgies, AG, confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.06.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 150 dias. (fis.
213/223) - Peter Schaefer, Vice-presidente de Vendas, Marketing & Logística para Produtos de Memória da Infineon Technologies North America Corporation, confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 26.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 120 dias. (fis. 181/190) e. Executivos da Ilynix: - Dae Soo (D.S.) Kim, Vice-presidente Sênior e Gerente Geral de Vendas Mundiais & Marketing da Hynix Semiconductor, Inc., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 8 meses. (fis. 229/243) Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 5/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 6- Chae Kyun (C.K.) Chung, Diretor Mundial de Vendas a Contas de Clientes Estratégicos de Produtos de Memória da Hynix Semiconductor, Inc., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 7 meses. (fis. 244/258) - Kun Chul (K.C.) Suh, Gerente Sênior de Marketing de Produto de Memória da Hynix Semiconductor, Inc.
e Vice-presidente de Marketing & Operações de Produto da Hynix Semiconductor America Inc., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 6 meses. (fis. 259/273) - Choon Yub (C.Y.) Choi, Gerente Geral de Marketing e Suporte de Vendas da Hynix Semiconductor Deutschland GmbH, confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.06.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 5 meses. (fis. 274/287) d. Executivos da Samsung: - Sun Woo Lee, Gerente Sênior de Vendas de DRAM da Samsung Electronics Company, Ltd., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 8 meses. (fis. 114/129) - Yeongho Kang, Diretor Associado de Marketing de DRAM, da Samsung Semiconductor, Inc., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 12.01.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 7 meses. (fis. 130/144) Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 6/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 7S FÇ I:
Fft____ MINISTÉRIO DA JUSTIÇA D DE SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO - Young Woo Lee, Diretor de Vendas da Samsung EuropeGmbH, confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.06.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 7 meses. (fis. 145/159) - Thomas Quinn, Vice-presidente de Marketing de Produtos de Memória da Samsung Semiconductor, Inc., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 8 meses. (fis. 335/347) - Young Hwan Park, Vice-Presidente de Vendas da Samsung Electronics Company, Ltd., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 10 meses. (fis. 320/334) - Ii Ung Kim, Vice-presidente de Marketing da Samsung Electronics Company, Ltd., confessou a participação em prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM no período de 01.04.2001 a 15.06.2002. Acordou em pagar multa no valor de US$ 250 mil e em permanecer preso por 14 meses. (fis. 164/176) 8. Todas as confissões acima descritas referentes tanto aos fabricantes de memória DRAM investigados pelo DOJ quanto a seus executivos englobaram as seguintes condutas: i.
Participação em encontros, conversas e comunicações ilícitos com concorrentes nos Estados Unidos e no resto do mundo para discutir preços de memória DRAM a ser aplicado a determinados clientes; ii. Acordos durante esses encontros, conversas e comunicações de cobrar certos preços de memória DRAM a certos clientes; iii. Emissão de cotações de preços em linha com os acordos referidos acima; e Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 7/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 8b (FIS.Q 1 Jj L MINISTÉRIO DA JUSTIÇA DE SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO iv. Troca de informações com relação às vendas de memória DRAM com o propósito de monitoramento da aplicação dos preços acordados. 9. Os executivos que celebraram acordo com o DOJ confessaram, ainda, que consentiam, ordenavam ou encorajavam subordinados e empregados a participarem do acordo. 10. Além disso, a Elpida e seus executivos D. James Sogas e Thomas Quinn confessaram a fraude, por meio de acordo ilícito com concorrentes, ao caráter competitivo de licitação privada promovida pela Sun Microsystems Inc. para adquirir memória DRAM. 11. Por sua vez, Ii Ung Kim, Vice-presidente de Marketing da Samsung Electronics, confessou a atuação em conluio em uma licitação da Compaq Computer para compra de DRAM. 12. Verifica-se, ainda, que o Gerente da Micron, Alfred P.
Censuilo, confessou perante o DOJ que mantinha contato com representantes de outras empresas para trocar informações de preços de DRAM. O gerente da Micron, embora não tenha firmado acordo de confissão específico para a prática de cartel internacional no mercado de DRAM (a Micron é beneficiária do Acordo de Leniência nos EUA), firmou acordo de confissão da prática de obstrução de justiça, visto que tentou alterar o teor das suas anotações com preços de concorrentes ao ser informado da intimação para apresentação de documentos relativos ao acordo feita pela Corte com a Micron (fis. 292/300). 13. O quadro a seguir apresenta um resumo das pessoas físicas e jurídicas que confessaram perante o DOJ sua participação em cartel de DRAM nos Estados Unidos e outras partes do mundo: Pessoa Jurídica ou Física Cargo I eríodo de participaçao no cartel Multa acordada (USS) confessado Tempo de prisão acordado Cooperação Samsung Etectronics Company, Ltd. e Samsung Não aplicável 01.04.1999 a 300 milhões Não aplicável Sim Sem iconductor, 15.06.200 Inc. Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 8/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg.
9- - 1 MINISTERI() DA .JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO Sun Woo Lee Gerente Sênior de Vendas de DRAM da O 1.04.2001 a 250 mil 8 meses SilTi 15.06.2002 Samsung Electronics Yeongho Kang Diretor Associado de Marketing de 12.01.2001 a DRAM, da 2 50 mil 7 meses Sim Samsung 15.06.2002 Semiconductor Young Woo Lee Diretor de Vendas da 01.06.2001 a 250 mil 7 meses Sim Samsung 15.06.2002 Europe Thomas Quinn Vice- presidente de Marketing de 01.04.2001 a Produtos de 250 mil 8 meses Sim Memória da 15.06.2002 Samsung Semiconductor Young Hwan Vice- Park Presidente de 01.04.2001 a Vendas da 2 50 mil 10 meses Sim 15.06.2002 Samsung Electronics 11 Ung Kim Vice- presidente de 01.04.2001 a Marketing da 250 mil 14 meses Sim 15.06.2002 Samsung Electronics Infineon Technologies, AG Não aplicável 01.07.1999 a 15.06.2002 160 milhões Não aplicável Sim T. Rudd Corwin Diretor da Divisão de Marketing a Clientes e de Vendas de 01.07.1999 a 250 mil 120 dias Sim Produtos de 15.06.2002 Memória e Vice- presidente de Vendas do Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 9/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg.
10Segmento de Computação da Infineon NA Heinrich Florian Vice - presidente de Vendas, Marketing & Logística para Produtos de Memória e 01.04.2001 a 250 mil 180 dias Sim Vice- 15.06.2002 presidente de Marketing & Logística da Infineon Technolgies, AG Günter Hefner Vice - presidente de Vendas para Produtos de 01.06.2001 a 250 mil 150 dias Sim Memória da 15.06.2002 Infineon Technolgies, AG Peter Schaefer Vice - presidente de Vendas, Marketing& 26.04.2001 a 250 mil 120 dias Sim Logística para 15.06.2002 Produtos de Memória da Infineon NA Hynix Semiconductor, 01.04.1999 a 185 milhões No aplicável Inc. No aplicável 15.06.2002 Dae Soo(D.S.) Vice- Kim presidente Sênior e Gerente Geral, Vendas 01.04.2001 a 250 mil 8 meses Sim Mundiais & 15.06.2002 Marketing da Hynix Semiconductor Chae Kyun Diretor 01.04.2001 a 250 mil 7 meses Sim Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 10/28 Sim Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 11MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 1 P riodo de Multa Tempo de Pessoa Jurídica Cargo participação acordada prisao Cooperação ou Física no cartd (US$) acordado confessado (C.K.) Chung Mundial de 15.06.2002 Vendas a Contas de Clientes Estratégicos de Produtos de Memória da Hynix Semiconductor Kun Chul Gerente Sênior (K.C.) Suh de Marketing de Produto de Memória da Hynix Semiconductor, Inc.;
Vice- presidente de 01 042001 a Marketing & 15 06 2002 250 mil 6 meses Sim Operações de Produto e Vice- presidente de Operações da Hynix Semiconductor America_Inc. Choon Yub Gerente Geral (C.Y.) Choi de Marketing e Suporte de 01062001 a Vendas da 15.06.2002 250 mil 5 meses Sim Hynix Semiconductor Deutschland Micron Beneficiária Technology, Não aplicável Desconhecido do Acordo de Não aplicável Sim Inc. Leniência Alfred P. Gerente Período Censullo* Regional de considerado Vendas do pela Desconhecido Desconhecido Sim Norte de Nova intimação do Iorque Grande Júri Elpida Memory, Inc. Não aplicável 01.04.1999 a 15.06.2002 84 milhões Não aplicável Sim D. James Sogas Vice- presidente de 01.04.2001 a 250 mil 7 meses Sim Vendas da 15.06.2002 Elpida Memory Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 11/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 12IR Período de Multa Tempo de Pessoa .Juridica ar o participação acordada. prisao - Cooperaçao ou Fisica no cartel (USS) acordado confessado (USA) NEC Acordo de Corporation No período Cooperation Não aplicável anterior à and Non- Não aplicável Sim Elpida I rosecution" com_DOJ Hitachi Ltd. Acordo de No período "Cooperation Não aplicável anterior à and Non- Não aplicável Sim Elpida Prosecution" com 130.1 * Alfred P.
Censuilo é Gerente da Micron, empresa que celebrou Acordo de Leniência com o DOJ, e em seu Plea Agreernent por obstrução à justiça consta a informação de que ele trocou informações sobre preços com concorrentes. 14. Esta SDE verificou, ainda, a existência de ação privada de indenização perante a U.S. District Court Northern District of Califórnia proposta por alegados prejudicados pela existência de cartel (In Re Dynamic Random Access Memory (Dram) Antitrust Litigation). Os autores da ação alegaram que os réus, fabricantes de memória DRAM, teriam ilegalmente fixado e aumentado preços e alocado entre si grandes clientes no período de 01.04.1999 a 30.06.2002. Os réus - (i) Infineon Technologies AG e Infineon Technologies North America Corp.; (ii) Samsung Semiconductor, Inc.; (iii) Hynix Semiconductor, Inc. e Hynix Semiconductor America, Inc.; (iv) Elpida Memory, Inc. e Elpida Memory (USA) Inc.; (v) NEC Electronics America, Inc.; (vi) Winbond Electronics Corporation e Winbond Electronics Corporation America; (vii) Micron Technology, Inc. e Micron Semiconductor Products, Inc., (viii) Mosel Vitelic Corp.; (ix) Mosel-Vitelic, Inc.; e (x) Nanya Technology Corporation USA - celebraram acordo com os autores e comprometeram-se ao pagamento total de US$325.997.000.2 De acordo com documentos publicamente disponíveis, o Grupo Infineon acordou pagar US$20.750,000; o Grupo Samsung US$ 67.000.000; e o Grupo Hynix acordou pagar $73.000.000. 2 Vide http:
//www.dramantitrustsettlement.com/dram/default.htm (acesso em 09.06.2010). Vide http: //www.dramantitrustsettlement.com/dram/docs/Groupl SummaryNotice.pdf. (acesso em 09.06.20 10). Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 12/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 13 ! MINISTÉRIO DA JUSTIÇA \ SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO \ DPD/ 15. Posteriormente, em 01.04.2010, foi noticiado que no âmbito da ação privada In re Dynamic Random Access Memory Antitrust Litigation, 02-1486, perante a U.S. District Court, District of Northern Califórnia, Hitachi Ltd., Mitsubishi Electric Corp. e Toshiba Corp. apresentaram petições nas quais concordariam em pagar, respectivamente, $ 11.5 milhões, $7.1 milhões e 9.2 milhões, para encerrar as investigações. 16. Tendo em vista o quanto mencionado anteriormente, em 18.06.2010, esta Secretaria de Direito Econômico instaurou processo administrativo (f. 1012) para investigar suposto cartel internacional no mercado de memória dinâmica de acesso aleatório ("DRAM") com efeitos no Brasil por parte de Elpida Memory, Inc.; Hitachi Ltd.; Hynix Semiconductor, Inc.; Infineon Technolgies, AG; Micron Technology, Inc.; Mitsubishi Electric Corp.; Nanya Technology Corporation; NEC Corporation; Samsung Electronics Company, Ltd; Samsung Semiconductor, Inc.; Toshiba Corporation; Sún Woo Lee; Yeongho Kang; Young Woo Lee; Thomas Quinn, Young Hwan Park, 11 Ung Kim; T. Rudd Corwin;
Heinrich Florian; Günter Hefner; Peter Schaefer; Dae Soo (D.S.) Kim; Chae Kyun (C.K.) Chung; Kun Chul (K.C.) Suh; Choon Yub (C.Y.) Choi; D. James Sogas; e Alfred P. Censullo. 11.2. [CONFIDENCIAL] III. ANÁLISE 1 III.!. Definição Preliminar do Mercado Relevante 17. Quando da instauração do Processo Administrativo considerou-se que, sob a ótica da dimensão produto, o mercado relevante poderia ser preliminarmente definido como o mercado de memória dinâmica de acesso aleatório ("DRAM"). 18. Sob a ótica da dimensão geográfica, por se tratar de um mercado em que (i) a economia de escala seria significativa; (ii) o custo de transporte não seria relevante; e (iii) haveria concentração dos maiores fabricantes na Ásia, que exportam para todo o mundo, entendeu-se então que o mercado de DRAM poderia ser preliminarmente definido como mundial. 19. [CONFIDENCIAL] Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 13/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 14JL 4PP[D) MINISTERIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 20. O DRAM é utilizado em computadores pessoais, laptops, servidores, impressoras, unidades de disco rígido, assistentes pessoais digitais, modems, celulares, hubs e roteadores para telecomunicação, câmeras digitais, gravadores de vídeo e televisores, conversores para TV digital, consoles de videogames e MP3 player. 111.2. Análise Preliminar da Conduta 111.2.1 Aspectos Gerais da Repressão aos Carteis 21.
Cartel é um acordo entre concorrentes para, principalmente, fixação de preços ou quotas de produção, divisão de clientes e de mercados de atuação. Carteis prejudicam seriamente os consumidores ao aumentar preços e restringir a oferta, tornando os bens e serviços mais caros ou indisponíveis. Dentre as condutas anticompetitivas, o cartel é a mais grave lesão à concorrência. 22. O poder de um cartel de limitar artificialmente a concorrência traz prejuízos também à inovação, por impedir que outros concorrentes aprimorem seus processos produtivos e lancem novos e melhores produtos no mercado. Isso resulta em perda de bem-estar do consumidor e, no longo prazo, perda da competitividade da economia como um todo. Segundo a Organização para a Cooperação e Desenvolvimento Econômico (OCDE, 2002), os carteis geram um sobrepreço estimado entre 10 e 20% comparado ao preço em um mercado competitivo, causando perdas anuais de centenas de bilhões de reais aos consumidores. Ainda segundo a OCDE, os carteis: causam danos a consumidores e negócios que adquirem seus produtos, por meio do aumento de preço ou da restrição da oferta. Como resultado, alguns adquirentes decidem não comprar o produto ao preço determinado pelo cartel ou compram-no em menor quantidade. Assim, os adquirentes pagam mais por aquela quantidade que realmente compram, o que possibilita, mesmo sem que saibam, a transferência de riquezas aos operadores do cartel. Além disso, os carteis geram desperdício e ineficiência.
Eles protegem seus membros da completa exposição às forças de mercado, reduzindo a pressão pelo controle de gastos e para inovação, o que acarreta a perda de competitividade de uma economia nacional . Tradução de Hard Core Cartels, preparado pelo Fórum Conjunto de Comércio e Concorrência da Organização para a Cooperação e Desenvolvimento Econômico (OCDE): http: //webdominiol.oecd.org/commet/ech/tradecomp.nsf, p. 2, 2003 (acesso em 03.12.2009). Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 14/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 15MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DII(FFI() ECONÔMICO 23. Nos últimos anos, as autoridades de defesa da concorrência de diversos países intensificaram seus esforços para identificar e impor severas sanções administrativas e criminais pela prática de cartel. Como exemplo, a Comissão Europeia de 1990 a 2008 aplicou multas por formação de cartel que excederam 13 bilhões e os Estados Unidos, de 1997 a 2008, aplicaram multas que superaram US$ 3 bilhões, além de outras sanções criminais. 24. Na mesma linha, o Brasil, desde 2003, considera a repressão aos carteis uma prioridade absoluta. A partir daquele ano, a SDE passou a utilizar Õferramentas sofisticadas de investigação, como a realização de diligências de busca e apreensão e a celebração de acordos de leniência.
Como reconhecimento da importância do combate aos carteis, em 2008 foi editado Decreto Presidencial que estabeleceu o dia 8 de outubro como o Dia Nacional do Combate a Carteis. 25. Além de reprimidos administrativamente pelos órgãos do Sistema Brasileiro de Defesa da Concorrência, por sua gravidade, no Brasil, carteis também são alvos de investigações e punições nos âmbitos criminal e civil. 26. O crime de cartel é punível com multa ou prisão de dois a cinco anos em regime de reclusão. De acordo com a Lei de Crimes contra a Ordem Econômica (Lei 8.137/90), essa sanção pode ser aumentada de um terço até metade se o crime causar grave dano à coletividade, for cometido por um servidor público ou se relacionar a bens ou serviços essenciais para a vida ou para a saúde. 27. Outros países também reconhecem a importância da persecução criminal para o combate efetivo a carteis. Nos Estados Unidos, por exemplo, um administrador pode ser condenado a ate 10 anos de prisão e ao pagamento de multa de até US$ 1 milhão. A pena média aplicada para carteis nos Estados Unidos é de 31 meses de prisão, sendo que desde 2000, mais de 150 executivos já cumpriram pena no país por prática de cartel, inclusive executivos estrangeiros. O Reino Unido e França são outros exemplos de países que, juntamente com o Brasil e Estados Unidos, combatem criminalmente a prática de cartel. 28.
Como é cediço, os participantes dos carteis têm consciência que estão cometendo ilícitos administrativos e penais, o que torna a reunião de provas e indícios da conduta tarefa hercúlea. Reuniões, contatos, - trocas de informações sobre preços e clientes, entre outros, são geralmente realizados com - extrema discrição e sigilo, habitualmente com a utilização de códigos, de forma a não deixar transparecer qualquer ilicitüde ou, no caso de detecção e investigação pelas autoridades de defesa da concorrência, não deixar rastros diretos da infração cometida. Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 15/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 16w MINISTERIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 111.2.2 Teoria dos Efeitos e Presunção de Efeitos Líquidos Negativos para a Sociedade 29. Prevê o art. 2° da Lei 8.884/94 que estão sujeitos à jurisdição da autoridade brasileira os atos que possam gerar efeitos reais ou potenciais no território brasileiro. Art. 2° Aplica-se esta lei, sem prejuízo de convenções e tratados de que seja signatário o Brasil, às práticas cometidas no todo ou em parte no território nacional ou que nele produzam ou possam produzir efeitos. 30. Além disso, a Lei 8.884/94, em seu art. 20, prevê que: Art. 20.
Constituem infração da ordem econômica, independentemente de culpa, os atos sob qualquer forma manifestados, que tenham por objeto ou possam produzir os seguintes efeitos, ainda que não sejam alcançados: / - limitar, falsear ou de qualquer forma prejudicar a livre concorrência ou a livre iniciativa; II- dominar mercado relevante de bens ou serviços; III - aumentar arbitrariamente os lucros; IV - exercer deforma abusiva posição dominante. 31. Como visto na transcrição do caput dos arts. 2° e 20 da Lei 8.884/94, a constatação da potencialidade de produção preponderante de efeitos anticoncorrenciais já é suficiente para condenação, o que permite à autoridade antitruste interromper a investigação sem necessidade de avançar em minuciosa procura por efeitos efetivos provocados no mercado. 32. No caso de infrações de cartel, a literatura econômica é unânime em apontar que os efeitos líquidos à sociedade são sempre negativos. A experiência em jurisdições com grande tradição antitruste é uníssona na constatação de que os prejuízos à economia são sempre significativos e qualquer modelo teórico de livro-texto aponta como lição básica os prejuízos líquidos na alocação ineficiente dos recursos produzidos na sociedade pelos carteis. O Brasil adota o mesmo entendimento, qual seja, o de presumir efeitos negativos à sociedade decorrentes de acordos de carteis5. Vide, por exemplo, Processo Administrativo 08012.002127/2002-14.
Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 16/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 17(FbJ ANL- MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 33. A literatura econômica aponta que o cartel distorce artificialmente o poder de barganha entre consumidores e produtores em favor dos últimos. Como resultado, os membros do cartel poderão elevar os preços e/ou reduzir as qualidades de seus produtos. Sabe-se que a relação entre compradores e produtores é regida por leis de mercado que, considerando condições de produção e comercialização e de consumo, acabam por determinar o poder relativo de barganha de cada grupo. Devido a condições tais como grau de necessidade de um produto para os consumidores, ou facilidade de entrada de novos produtores no mercado, o poder de barganha entre consumidores e produtores pode ser assimetricamente distribuído. 34. A assimetria entre poder de barganha de consumidores e produtores não constitui problema per se, quando determinada pelas condições de mercado. O efeito nocivo do cartel está relacionado à manipulação de condições de mercado com o objetivo único de fortalecer o poder de barganha de produtores. 35. Uma elevação artificial de preços sustentável ao longo-prazo implica redução na quantidade comercializada. A magnitude dessa redução terá relação direta com os prejuízos impostos pela cartelização.
O efeito esperado do cartel é a elevação dos preços de produtos e /ou serviços alvos da prática ilícita. Em face à Lei de Demanda - aumentos no preço são acompanhados por reduções na quantidade demandada - a quantidade demandada se reduzirá. Esse simples exercício permite-nos ilustrar dois efeitos nocivos diretos do cartel: a. A transferência de renda dos consumidores que continuam adquirindo o bem, mas agora a um preço mais elevado; e b. A sonegação de oportunidades de negócios aos consumidores que deixaram de consumir o bem por considerar o preço muito caro. 111.3. Do caso ora em análise 36. Conforme visto no relatório, as suspeitas desta SDE quando da instauração do Processo Administrativo em tela eram as de que os Representados teriam organizado um suposto cartel internacional no mercado de módulos de memória DRAM por meio de seus executivos e empregados, envolvendo-se em discussões e reuniões com concorrentes produtores e vendedores de memória DRAM. Durante tais discussões e reuniões, teriam sido alcançados acordos para fixar o preço de memória DRAM vendido a certas OEMs. 37. Conforme já narrado na instauração do processo administrativo, apurou-se, a partir dos documentos extraídos do sítio eletrônico do Departamento de Justiça Norte-Americano, que o cartel teria afetado as seguintes OEMs: Dell Inc., Hewlett-Packard Company, Compaq Computer Corporation, International Bussiness Machines Corporation, Apple Computer Inc., e Gateway, Inc.
Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 17/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 18w MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO \ oiST7 38. Os acordos de confissão celebrados com as autoridades norte-americanas revelam que, em certos momentos durante o período abarcado pela investigação das autoridades de defesa da concorrência norte-americanas - que vai de abril de 1999 a junho de 2002 - as empresas teriam acordado em limitar a diminuição dos preços que vinha ocorrendo no mercado e, em outros momentos, os acordos teriam o fim de aumentar os preços dos produtos. 39. Além disso, nos acordos de confissão celebrados pela Elpida e seus executivos D. James Sogas e Thomas Quinn com autoridades de defesa da concorrência dos EUA, há o registro de ocorrência de conduta específica supostamente destinada a fraudar licitações da Sun Microsystems para compra de módulos de memória de Dual In-line Next-Generation (1 GB NG DTMM) em 5 de dezembro de 2001 e em 26 de março de 2002. 40. Ademais, na documentação das autoridades norte-americanas relativas a 11 Ung Kim, há a informação de que, em reuniões e em discussões por telefone, participou de conluio para fraudar o caráter competitivo de leilão online da Compaq Computer Corporation, em 29 de novembro de 2001, o que teria se dado pela não apresentação de proposta ou pela apresentação de propostas com preços intencionalmente altos (fis. 160/163). 41.
Já em relação às investigações carreadas pela Comissão Europeia, tem-se a notícia de que o cartel envolveu uma rede de contatos que realizava o compartilhamento de informações sigilosas, de maneira bilateral, para coordenação de cotações e níveis de preços de memória DRAM. 42. De acordo com a decisão7 da Comissão Europeia de 19.05.2010, os integrantes do cartel trocavavam informações sigilosas sobre estratégias, intenções de preços e outros dados sensíveis com o intuito de equalizar preços e cotações na venda de DRAM para os maiores fabricantes de compútador. O principal objetivo do contato entre os concorrentes era, em mercado crescente, maximizar o lucro dos fornecedores de memória DRAM e, em mercado decrescente, evitar que os preços baixassem muito rapidamente. 43. A informação trocada, inicialmente de forma bilateral, teria removido, até certo ponto, a incerteza com relação aos preços em todo o mercado, possibilitando que as empresas envolvidas no suposto conluio pudessem tomar decisões com base em informações mais específicas e confiáveis quando estivessem negociando com os fabricantes de computadores. 6 Tradução de Documento do Departamento de Justiça dos Estados Unidos da América. Fls. 650 a 982 dos autos Versão no confidencial da decisão da Comissão Europeia de 19.05.2010. Disponível em http:
//ec.europa.eu/comnetition/cartels/cases/cases.html (acesso em 27.03.2012) Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 18/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 191 MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 44. Os acordos celebrados com a Comissão Europeia revelam que os contatos eram feitos com a consciência por parte das empresas envolvidas de que contatos similares seriam realizados com outras concorrentes e de que a informação poderia ser circulada. Estes contatos eram feitos principalmente por telefone. As mudanças e intensidades na troca de informação ocorriam como resposta a novas situações no mercado. 45. Como exemplo, a Comissão Europeia cita que os membros do cartel teriam se adaptado rapidamente a evoluções, tais como o lançamento de licitações eletrônicas por alguns fabricantes de compütadores no final do período do cartel, em 2001 e 2002. Nesses casos, havia estratégia de coordenação de preços para venda de memória DRAM a certos fabricantes - dentro dos fornecedores de DRAM "qualificados" para atender tais clientes. A Comissão menciona que havia, ainda, troca de informações relativas à capacidade de produção e vendas "spot" a determinados clientes. 46.
É possível afirmar, a partir das informações levantadas por esta SDE, que a estrutura de mercado - altamente concentrado, com altas barreiras à entrada - possui características que o tornam propensos à formação de cartel, uma vez que não é razoável esperar a entrada de novos agentes de mercado para a produção e venda de memória DRAM sem o dispêndio de altos investimentos. Além dos custos com pesquisa e desenvolvimento, uma nova fábrica leva 3 anos para ser construída e custa aproximadamente US$ 3 bilhões 8. 47. Assim, na terminologia da doutrina americana, o conluio investigado pelas autoridades de defesa da concorrência dos EUA e da Comissão Europeia é um típico hard core cartel, com a geração, efetiva ou potencial, de ao menos dois dos efeitos elencados nos incisos do art. 20, ele art. 21, incisos 1, II, III e X, ambos da Lei 8.884/94. Estariam limitadas à livre concorrência e livre iniciativa porque os ajustes impediriam a formação livre de preços e quantidade no mercado. Além disso, a prática relatada teria igualmente o condão de provocar aumento arbitrário dos lucros. 48. [CONFIDENCIAL] 8 DRAM pricing - a white paper. Disponível em http: //www.tezzaron.com/about/papers/dram pricing.pdf, p.1, 2002 (acesso em 25.05.2010). Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 19/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 20/6rT (F&O MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO " 111.4.
Efeitos da suposta prática no Brasil 49. Os supostos efeitos do cartel sobre o comércio brasileiro resultaram de exportações ao país - levantamentos do DPDE indicam que a demanda brasileira de memória DRAM era atendida integralmente por importações no período de duração do suposto cartel. O cartel tinha escopo mundial ou afetava diretamente empresas com atuação em diferentes países, inclusive Brasil (entre as empresas diretamente afetadas estariam a Compaq, Dell e HP). Há fortes indícios, portanto, que os acordos entre concorrentes confessados perante as autoridades norte-americanas e Europeias causaram efeitos diretos e indiretos no Brasil. Efeitos diretos resultaram principalmente das exportações de memória DRAM ao Brasil. Efeitos indiretos resultaram de vendas da memória DRAM a fabricantes de equipamentos originais de computadores pessoais e servidores (OEMs) localizados fora do Brasil, mas que exportam seus produtos finais (como laptops, servidores e celulares). 50. Estudos setoriais do BNDES sobre o complexo eletrônico brasileiro9 (fls. 356/645) revelam a preocupação daquele órgão com os crescentes déficits na balança comercial em relação aos componentes eletrônicos e, em especial, aos circuitos integrados - dentre os quais se inserem as memórias DRAM °.
Dados contidos nesses estudos apontam que o déficit comercial do complexo industrial seria da ordem de US$ 6 bilhões anuais, dos quais cerca de US$ 1 bilhão seria referente apenas aos circuitos integrados "O Complexo Eletrônico engloba segmentos que possuem em comum a mesma base tecnológica, porém com características e dinâmicas próprias - informática, equipamentos para telecomunicações, componentes e bens eletrônicos de consumo". GUTIERREZ, Regina Maria Vinhais; ALEXANDRE, Patrícia Viera Machado. Complexo Eletrônico Brasileiro e Competitividade. BNDES Setorial, Rio de Janeiro, n. 18, p. 165-192, set. 2003, p. 166. Os componentes eletrônicos se subdividem, em razão da complexidade de sua estrutura interna, em discretos e integrados. Os discretos possuem estrutura bastante simples, sendo capazes de executar uma única função (resistores, capacitores, indutores, diodos e transistores). Os integrados, por sua vez, desempenham múltiplas funções, contando para isso com diversos componentes internos, similares aos discretos, que atuam harmonicamente. Do ponto de vista do bem final cada circuito integrado é considerado um componente individual, por ser produzido e comercializado dessa forma. Os semicondutores, onde estão inseridos os circuitos integrados, são classificados, por um critério metodológico, como circuitos padronizados (destinados a uma enorme diversidade de clientes ou aplicações);
ou circuitos sob encomenda (projetados para atender uma demanda específica, também conhecidos como application specic integrated circuits - ASICs). Os circuitos padronizados, por sua vez, dividem-se em duas grandes famílias: memórias, que se destinam ao armazenamento de informação, sob a forma digital, em produtos eletrônicos; e lógicos, que processam numericamente a informação contida nas memórias. Já as memórias podem ser classificadas da seguinte forma: voláteis, que mantêm a informação unicamente na presença de corrente elétrica e são usualmente conhecidas como memórias randomn access memnory (RAM), podendo ser estáticas (SRAM) ou dinâmicas (DRAM), conforme a natureza dos dispositivos de armazenamento; ou não-voláteis, que mantêm a informação na ausência de Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 20/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 21OFsLJ MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 51. Ainda nesse sentido, segundo o BNDES: "embora o desempenho das várias categorias de componentes tenha sido diferenciado, os de maior relevância registraram acentuada deterioração no que diz respeito ao comércio exterior. Isso é particularmente verdadeiro para os circuitos integrados (CA), cuja participação total no déficit do Complexo cresceu de 43% para 60%, de 1996 a 2002. ,,12 Tabela 1 Brasil:
Balança Comercial do Complexo Eletrônico - 1996-2003 (Em US$ Milhões) 015CRIMINAÇÃO 1996 1991 1998 1999 2000 2001 2002 IMPORTAÇÕES 6.859,19 7.874,95 7.107,57 6.89179 9.277,56 8.839,18 5.713,27 Informática 1.454,30 1.489,10 1.528,70 1.447,00 1.853,00 1.716,10 1.306,7 Eletrônica de Consumó 1.037,10 1.048,40 822,70 370,50 411,50 361,20 424,30 Telecomunicações 2.087,49 2.75255 2.682,07 2.710,79 3.43486 3.752,88 1.510,77 Componentes 1280,30 2.584,90 2.274,10 2.363,50 3.578,20 3.010,00 2.472,10 EXPORTAÇÕES 1.049,41 1.199,45 1.188,60 1.445,30 2.491,70 2.571,48 2.403,10 Informática 280,70 267,90 247,30 336,80 374,70 293,00 163,70 Eletrônica de Consumo 386,10 411,40 371,00 353,50 433,70 385,40 278,80 Telecomunicações 154,11 288,25 3.29,0 494,20 1.311,30 1.551,88 1.547,30 Componentes 228,50 231,90 240,80 260,80 372,00 341,20 412,30 Fonte: Secer (Agregação corrente elétrica, havendo numerossos tipos em uso (a sigla ROM significa read only memoiy). MELO, Paulo Roberto de Sousa; RIOS, Evaristo Carlos Silva Duarte; GUTIERREZ, Regina Marin Vinhais. Componentes eletrônicos: perspectivas para o Brasil. BNDES Setorial, Rio de Janeiro, n. 13, p. 3-64, mar. 2001, p. 10/12. l MELO, Paulo Roberto de Sousa; RIOS, Evaristo Carlos Silva Duarte; GUTIERREZ, Regina Marin Vinhais. Componentes eletrônicos: perspectivas para o Brasil. BNDES Setorial, Rio de Janeiro, n. 13, p. 3-64, mar. 2001. 12 GUTIERREZ, Regina Maria Vinhais; ALEXANDRE, Patrícia Viera Machado.
Complexo Eletrônico Brasileiro e Competitividade. BNDES Setorial, Rio de Janeiro, n. 18, p. 165-192, sei. 2003,p.182. Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 21/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 22MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO Tabela 8 Brasil:
Balança Comercial do Segmento de Componentes - 1996-2003 (Em USS Milhões) DISCRIMINAÇÃO 1996 1991 1998 1999 2000 2001 2002 IMPORTAÇÕES 1280,30 2.684,90 2.274,10 1363,50 3.578,20 3.010,00 2.472,10 Capactores 128,30 133,60 101,90 119,48 200,80 153,60 111,30 Resistores 69,00 83,60 74,50 68,40 94,40 82,00 50,28 Diodos e Transistores (Semicondutores Discretos) 186,70 198,60 215,60 25450 354,40 292,70 248,40 Circuitos Impressos 90,10 108,60 119,40 139,10 217,50 192,80 143,80 Circuitos Integrados 809,60 940,70 866.50 1.059,50 1.56800 1.445,30 1230,60 Cinescõpios e Válvulas 532,80 522,20 392,58 286,38 52370 335,60 293,30 Dispositivos de Cristal Líquido 18,30 19,90 24,80 67,68 12090 77,50 101,70 Outros Componentes 445,50 577,70 478,50 368,70 498,50 430,50 292,80 EXPORTAÇÕES 228,50 231,90 240,80 260,80 372,08 341,20 412,30 Capacitores 35,90 35,30 36,40 31,00 39,70 39,50 58,50 Resistores 23,10 24,60 20,80 18,98 18,20 11,18 15,40 Diodos e Transistores (Semicondutores Discretos) 4,80 7,40 12,30 7,60 9,20 13,30 16,10 Circuitos Impressos 17,70 20,20 13,50 12,30 18,70 23,30 24,20 Circuitos Integrados 8,80 7,80 6,80 6,10 41,50 52,60 71,50 Cinescópiose Válvulas 78,70 82,50 182,20 134,60 188,38 142,50 161.18 Dispositivos de Cristal Líquido 0,00 8,00 0,50 1,98 8,60 0,80 4,20 Outros Componentes 59,50 54,10 49,38 48,40 63,80 58,10 61,38 DÉFICIT (2.051,80) (135100) (2.033,30) (2.102,70) (1206,20) (2.668,80) (1055,) Fonte:
Secex (Agregação BNDES) Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 22/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 23(F 023 MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO Tabela 2 Brasil: Balança Comercial do Segmento de Informátíca - 1996-2003 (Em USS Milhões) DISCRIMINAÇÃO 1996 1997 1998 1999 2000 2001 200 IMPORTAÇÕES 1.454,30 1.489,10 1.528,70 1.44700 1.853.00 1.715.10 1.306,70 Computadores 20120 198,90 169,40 144,60 190,70 181,60 127,30 Monitores deVídeo 114,10 55,20 45,10 22,60 20,30 18,20 17,80 Impressoras 147,80 138,10 126,20 54,90 62,30 68,70 57,60 Unidades de Disco Rígido 166,30 194,90 19820 215,10 261,10 222,90 123,60 Unidades de Disco Óptico 46,90 44,70 42,30 35,70 65,80 57,10 34,90 GatewayseHubs 100,90 87,40 72,50 73,00 84,50 69,40 44,90 Terminais de Auto-Atendimento 6,60 2,00 1,60 12.20 0.10 0,20 0,00 Outros p1 Autom.
Escritórios, Bancária e Comercial 10,20 6,30 11,20 4310 43,30 41,00 35,30 Outros Equipamentos de Informática 214,20 326,80 313,00 26800 345,90 352,40 274,40 Partes e Peças 446,10 432,80 543,20 577,80 779.00 703,60 590,90 EXPORTAÇÕES 280,70 267,90 247,30 336,80 374,70 293,00 163,10 Computadores 163,30 198,30 178,10 248,80 203,00 106,20 26,30 Monitores deVídeo 7,80 3,20 11,50 21,70 62,40 56,80 28,40 Impressoras 3,80 1,00 2,60 11,70 24,10 28,50 19,20 Unidades de Disco Rígido 8,90 9,50 5,90 7,30 9,60 14,50 12,50 Unidades de Disco Óptico 0,20 1,10 0,40 0,40 0,70 1,00 0,40 Gateways e Huba 7,10 0,30 1.30 0,80 1,80 0,40 0,90 Terminais de Auto-Atendimento 0,00 0,00 0,00 0,50 0,20 0,30 0,40 Outros pf Autom. Escritórios, Bancária e Comercial 0,50 3,20 2,10 3,30 6,40 2,10 4,70 Outros Equipamentos de Informática 8.20 17,60 17,00 13,30 27,20 33,30 22,50 Partes e Peças 80.90 33,70 28,40 29,00 39,30 49,90 48,40 DÉFICIT (1.173,60) (1.221,20) (1.281,40) (1.110,20) (1.478,30) (1.422,10) (1.140 Fonte: Secex (Agregação BNDES) 52. Os estudos do BNDES destacam, ainda, o caráter estrutural do déficit relativo aos componentes eletrônicos, tendo em vista praticamente inexistir fabricação local de tais produtos no Brasil, país onde praticamente há apenas montagem e realização de testes finais de produtos acabados. 53. Cumpre dizer, ainda, que os produtos finais (como computadores e outros equipamentos eletrônicos) podem ser montados em fábricas no Brasil ou também importados.
Só no que tange aos computadores, dados dos mesmos estudos do BNDES sobre o complexo eletrônico brasileiro mostram que o volume de equipamentos importados ainda é grande, correspondendo à cerca de 170 milhões por ano. Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 23/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 24F W MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 54. É de se destacar, ademais, a grande importância do mercado de memória DRAM para a economia como um todo, pois tais produtos são utilizados como componentes não apenas de computadores, mas também de outros equipamentos eletrônicos como servidores, estações de trabalho, impressoras, drives de disco rígido, assistentes pessoais digitais (PDAs), modems, telefones celulares, roteadores, switches e hubs para telecomunicação, câmeras digitais, câmeras filmadoras e TVs, decodificadores digitais, consoles de videogames, reprodutores de música digitais, entre outros. Fazem-se presentes, portanto, em quase todas as atividades da vida humana moderna. 55. Mencione-se, ainda, nesse sentido, que a demanda no Brasil por produtos que utilizam memória DRAM como componente é crescente, principalmente em vista da expansão da classe média no Brasil. 56.
Ora, havendo fortes indícios de existência de um cartel internacional de memória DRAM em que tomaram parte os principais produtores mundiais, localizados na Coréia, Japão, Alemanha, Estados Unidos e Taiwan, é altamente provável que a fixação de preços e alocação de clientes em desacordo com as dinâmicas naturais de mercado tenha provocado prejuízos aos consumidores brasileiros atendidos por importações. Esses prejuízos podem ser traduzidos tanto pela transferência de renda dos consumidores que adquiriram o produto, mas a um preço mais caro, quanto àqueles que tiveram oportunidades de negócio sonegadas por considerar o produto muito caro. [CONFIDENCIAL] 57. Como já afirmado, além dos prejuízos diretos potencialmente resultantes das exportações de memória DRAM para fabricantes de produtos finais no Brasil, necessário averiguar os efeitos indiretos decorrentes de vendas de memória DRAM a fabricantes de produtos finais em outros paises, que exportavam tais produtos finais para o Brasil. 58. Cabe ainda lembrar que o simples fato de as unidades das fornecedoras do produto atingido estarem no exterior não obsta a persecução pelos fatos gerados no Brasil. Tampouco é impedimento o fato de supostamente as reuniões terem ocorrido em território estrangeiro, como confessado por alguns dos envolvidos. 59.
O que interessa para a incidência da lei de defesa concorrência brasileira é o local da produção efetiva ou potencial de efeitos anticompetitivos e não necessariamente o local da realização dos atos ou domicílio dos possíveis infratores. Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 24/28 / Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 25/ IW 2S DptiE MINISTÉRIO DA JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO 60. Veja-se que o tema não é novo e foi objeto de discussão no conhecido cartel das vitaminas. Lá, como supostamente ocorrido aqui, fornecedores externos, lá de vitaminas, aqui de memória DRAM, formaram arranjos de burla das normas de concorrência como forma de aumentar artificialmente os lucros de suas empresas, tudo às custas dos seus demandantes localizados ao redor do mundo, incluindo o Brasil. Naquela ocasião o CADE impôs sanção pela lesão aos demandantes brasileiros, sendo que o trecho do voto do relator, acolhido por unanimidade, que se reporta à aplicação do art. 2° da Lei 8.884/94, destaca que os efeitos sequer precisam ser verificados, bastando a potencialidade, como é possível conferir abaixo:
Argüiu-se logo no início do processo e como fundamento para o pedido de exclusão das co-representadas estrangeiras do pólo passivo, a incompetência das autoridades brasileiras para conhecer e decidir sobre atos praticados fora do país, a menos que o alcance dos seus efeitos possa ter afetado o mercado nacional, hipótese esta negada pelas co-representadas. Tal argumento não resiste, contudo, à leitura do art. 2° da Lei n° 8.884/94, que define o âmbito de aplicação das normas contidas neste mesmo diploma (.). Induvidosa, portanto, a aplicabilidade das normas brasileiras de defesa da concorrência, ainda que nenhum ato tenha sido praticado em território nacional, e mesmo que nenhum efeito tenha de fato se produzido, bastando que se prove a potencialidade dos danos internamente, dos atos praticados fora do Brasil". (Trecho de voto do Cons. Ricardo Cuêva nos autos do Processo Administrativo 08012.004599/1999-18, fls. 3220/3221) 61. No caso do "cartel das vitaminas", como ficou conhecido, o Conselheiro Paulo Furquim delimitou, em seu voto-vista, os critérios probatórios necessários para a condenação de um cartel internacional, afirmando que nesses casos "basta provar que o Brasilfaz parte do objeto do acordo de cartel". 62. Para tanto, é necessário seguir dois critérios: (i) a comprovação da formação de cartel em território estrangeiro;
e (ii) uma jurisdição é afetada por um cartel - e, portanto, tal cartel deve ser objeto de punição nessa jurisdição - se a sua área de abrangência inclui, no todo ou em parte, o objeto do cartel, sendo irrelevante onde o acordo foi "celebrado" e importando apenas saber qual o espaço abrangido pelo acordo entre empresas. 63. Tanto o primeiro critério como o segundo serão objeto de exame por parte desta Secretaria no decorrer do presente processo administrativo, contudo, cumpre salientar nesse momento que a existência de exportações de produtos objeto do cartel para o território nacional pode ser considerado forte indício de efeitos ou potencialidade de efeitos no Brasil. Nessa direção foi o voto-vista do Conselheiro Luiz Prado no já citado "cartel de vitaminas", in verbis: Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 25/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 26\ DDE MINISTÉRIO DA .JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO "Portanto, aceita a tese pelos autores de que havia um cartel internacional e, ainda, havendo evidência que este tratava da exportação para várias regiões do inundo, inclusive às Américas, há indícios suficientes para concluir que este afetava também o Brasil". 64. Com a mesma ratio é que se faz a conexão entre o ocorrido no estrangeiro e os efeitos deletérios causados no Brasil, sendo, em tese, aplicável a lei brasileira. 111.5.
Individualização das condutas e recomendação de inclusão de novos Representados nas investigações desta SDE sobre o suposto cartel internacional com efeitos no Brasil ocorrido no mercado de módulos de memória DRAM 65. [CONFIDENCIAL] SamsunIZ Electronics Company, Ltd. e Samsung Semiconductor, Inc. [CONFIDENCIAL] Hynix Semiconductor, Inc. [CONFIDENCIAL] Infineon Technologies, AG [CONFIDENCIAL] Micron Technology, Inc. [CONFIDENCIAL] Elpida Memory, Inc. [CONFIDENCIAL] NEC Corporation [CONFIDENCIAL] Hitachi Ltd. [CONFIDENCIAL] Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 26/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 27MINISTÉRIO DA .JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO Mitsubishi Electric Corp. [CONFIDENCIAL] Nanya Technoloa v Corporation [CONFIDENCIAL] 111.6. [CONFIDENCIAL] 66. [CONFIDENCIAL] IV. CONCLUSÃO 67. Por todo o exposto e tendo em vista a existência de indícios suficientes de infração à ordem econômica tipificada no art. 20, incisos 1 e III c/c art. 21, incisos 1, II, III e X, da Lei 8.884/94, e tendo em vista que já se encontram no poio passivo as seguintes pessoas físicas e jurídicas: Pessoas Jurídicas: Elpida Memory, Inc.; Hitachi Ltd.; Hynix Semiconductor, Inc.; Infineon Technolgies, AG; Micron Technology, Inc.; Mitsubishi Electric Corp.; Nanya Technology Corporation; NEC Corporation; Samsung Electronics Company, Ltd.; Sarnsung Semiconductor, Inc.; Toshiba Corporation; Pessoas Físicas:
[CONFIDENCIAL]; sugere-se: (i) a inclusão no pólo passivo das seguintes pessoas físicas nas investigações desta SDE sobre o suposto cartel internacional com efeitos no Brasil ocorrido no mercado de DRAM, a fim de que sejam apuradas as condutas anticoncorrenciais apontadas ao longo da presente nota técnica. [CONFIDENCIAL] (ii) a notificação de todos os Representados para apresentarem defesa no prazo de 15 (quinze) dias, contado em dobro em atenção aos arts. 83 da Lei 8.884/94 e 191 do Código de Processo Civil; 68. Sugere-se, ainda: (i) [CONFIDENCIAL] Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 27/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 28IM MINISTÉRIO DA .JUSTIÇA SECRETARIA DE DIREITO ECONÔMICO (ii) a decretação do tratamento confidencial do presente Processo Administrativo, o qual deverá ter acesso restrito ao SBDC e aos Representados; (iii) [CONFIDENCIAL] À consideração superior. Brasília, )3 de Jcyu.L1 de 2012. REAGA Chefe de Divisão De acordo. À consideração do Sr. Diretor do DPDE. Brasília, ) de cJ7t(j, de 2012. TERE4IÍ1IDA BRAGA Coordenadora-Geral da CGAI Substituta De acordo. Encaminhe-se ao Sr. Secretário de Direito Econômico. Brasília, / de de 2012. - »MOGO MSON DE 7RADE Diretor do DPD Departamento de Proteção e Defesa Econômica Processo Administrativo 08012.005255/2010-11 Página 28/28 Volume de Processo 1 (0001164) SEI 08012.005255/2010-11 / pg. 29
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